MOSFET Texas Instruments CSD16340Q3, VDSS 25 V, ID 60 A, SON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Longitud
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,5 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.4mm
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Price on asking
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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8
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
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3 W
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-8 V, +10 V
Longitud
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,5 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.4mm
Altura
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