MOSFET Texas Instruments CSD16301Q2, VDSS 25 V, ID 5 A, WSON de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
WSON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
2mm
Altura
0.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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$ 571,00
$ 0,19 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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6
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
2mm
Altura
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