MOSFET Texas Instruments CSD16301Q2, VDSS 25 V, ID 5 A, WSON de 6 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 162-8525Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD16301Q2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Series

NexFET

Tipo de Encapsulado

WSON

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

34 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.55V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

2.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Longitud

2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2 nC a 4,5 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

2mm

Altura

0.8mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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$ 571,00

$ 0,19 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

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WSON

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Montaje superficial

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6

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34 mΩ

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.55V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

2.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Longitud

2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2 nC a 4,5 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

2mm

Altura

0.8mm

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