MOSFET Taiwan Semiconductor TSM230N06CP ROG, VDSS 60 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
53000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
5.8mm
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1V
Altura
2.3mm
€ 18,48
€ 0,739 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
€ 18,48
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
53000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
5.8mm
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1V
Altura
2.3mm