MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2307CX RFG, VDSS 30 V, ID 3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Profundidad
1.7mm
Altura
1.2mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
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€ 6,55
€ 0,262 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
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Información de stock no disponible temporalmente.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,262 | € 6,55 |
| 250 - 475 | € 0,22 | € 5,51 |
| 500+ | € 0,214 | € 5,34 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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