MOSFET STMicroelectronics STW9NK90Z, VDSS 900 V, ID 8 A, TO-247 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Profundidad
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 3,10
€ 3,10 Each (Sin IVA)
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1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,10 |
| 10 - 24 | € 2,78 |
| 25 - 99 | € 2,64 |
| 100 - 499 | € 2,11 |
| 500+ | € 1,87 |
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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Material del transistor
Si
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Longitud
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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