Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1500 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
320000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.75mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
89,3 nC a 10 V
Anchura
5.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 9,60
€ 9,60 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 9,60
€ 9,60 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 4 | € 9,60 |
5 - 9 | € 9,10 |
10 - 24 | € 8,20 |
25 - 49 | € 7,49 |
50+ | € 7,30 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1500 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
320000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.75mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
89,3 nC a 10 V
Anchura
5.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.15mm
Datos del producto