MOSFET STMicroelectronics STW4N150, VDSS 1.500 V, ID 4 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1500 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.15mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 122,02
€ 4,067 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
€ 122,02
€ 4,067 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,067 | € 122,02 |
| 60 - 120 | € 3,727 | € 111,82 |
| 150+ | € 3,635 | € 109,05 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1500 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.15mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products