MOSFET STMicroelectronics STW33N60M2, VDSS 650 V, ID 26 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.15mm
Altura
20.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 47,06
€ 4,71 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
€ 47,06
€ 4,71 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 10 - 99 | € 4,71 |
| 100 - 499 | € 3,72 |
| 500+ | € 3,34 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.15mm
Altura
20.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products