MOSFET STMicroelectronics STW28N60M2, VDSS 650 V, ID 22 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Profundidad
5.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 7,53
€ 3,767 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
€ 7,53
€ 3,767 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,767 | € 7,54 |
| 10 - 18 | € 3,576 | € 7,15 |
| 20 - 48 | € 3,217 | € 6,43 |
| 50 - 98 | € 2,90 | € 5,80 |
| 100+ | € 2,751 | € 5,50 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Profundidad
5.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products