MOSFET STMicroelectronics STP55NF06L, VDSS 60 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
95000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 61,96
$ 1,239 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1,239 | $ 61,96 |
| 100 - 450 | $ 0,963 | $ 48,13 |
| 500 - 950 | $ 0,815 | $ 40,74 |
| 1000 - 4950 | $ 0,681 | $ 34,03 |
| 5000+ | $ 0,641 | $ 32,04 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
95000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
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Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
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