MOSFET STMicroelectronics STP55NF06L, VDSS 60 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
95000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 52,89
€ 1,058 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,058 | € 52,89 |
| 100 - 450 | € 0,822 | € 41,08 |
| 500 - 950 | € 0,695 | € 34,77 |
| 1000 - 4950 | € 0,581 | € 29,04 |
| 5000+ | € 0,547 | € 27,35 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
95000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
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