MOSFET STMicroelectronics STP310N10F7, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET H7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
315 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
15.75mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 7,97
€ 3,986 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,986 | € 7,97 |
| 10 - 98 | € 3,401 | € 6,80 |
| 100 - 498 | € 2,998 | € 6,00 |
| 500+ | € 2,922 | € 5,84 |
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N
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100 V
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STripFET H7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
315 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
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