Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
115000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 9,11
$ 1,821 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
$ 9,11
$ 1,821 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 5 | $ 1,821 | $ 9,11 |
10 - 20 | $ 1,643 | $ 8,22 |
25 - 95 | $ 1,553 | $ 7,76 |
100 - 495 | $ 1,175 | $ 5,87 |
500+ | $ 0,983 | $ 4,92 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
115000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto