Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 8,39
€ 0,839 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 8,39
€ 0,839 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,839 | € 8,39 |
50 - 90 | € 0,815 | € 8,15 |
100 - 240 | € 0,794 | € 7,94 |
250 - 490 | € 0,774 | € 7,74 |
500+ | € 0,755 | € 7,55 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto