MOSFET STMicroelectronics STP18N65M2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
330 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.75mm
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 12,03
€ 2,407 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,407 | € 12,04 |
| 25 - 45 | € 2,29 | € 11,45 |
| 50 - 120 | € 2,06 | € 10,30 |
| 125 - 245 | € 1,851 | € 9,26 |
| 250+ | € 1,76 | € 8,80 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
330 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
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1
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.75mm
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
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