Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,3 nC a 5 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 11,61
$ 1,161 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
$ 11,61
$ 1,161 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 20 | $ 1,161 | $ 11,61 |
30 - 90 | $ 1,104 | $ 11,04 |
100 - 490 | $ 0,827 | $ 8,27 |
500 - 990 | $ 0,702 | $ 7,02 |
1000+ | $ 0,563 | $ 5,63 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,3 nC a 5 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto