Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.6mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 32,19
€ 0,644 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 32,19
€ 0,644 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,644 | € 32,20 |
100 - 450 | € 0,484 | € 24,22 |
500 - 950 | € 0,412 | € 20,58 |
1000 - 4950 | € 0,329 | € 16,47 |
5000+ | € 0,298 | € 14,91 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.6mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto