MOSFET STMicroelectronics STP13NK60Z, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
66 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 6,97
€ 1,393 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Anchura
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Material del transistor
Si
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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