MOSFET STMicroelectronics STN1NK80Z, VDSS 800 V, ID 250 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 714-1076PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STN1NK80Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

250 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.5mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,7 nC a 10 V

Profundidad

3.5mm

Altura

1.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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N

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250 mA

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800 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.5mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,7 nC a 10 V

Profundidad

3.5mm

Altura

1.8mm

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