MOSFET STMicroelectronics STN1NK80Z, VDSS 800 V, ID 250 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 714-1076PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STN1NK80Z
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

250 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,7 nC a 10 V

Profundidad

3.5mm

Altura

1.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Información de stock no disponible temporalmente.

€ 1,58

€ 0,158 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STN1NK80Z, VDSS 800 V, ID 250 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 1,58
20€ 3,16
30€ 4,73
40€ 6,31
50€ 7,89
60€ 9,47
70€ 11,05
80€ 12,62
90€ 14,20
100€ 15,78
110€ 17,36
120€ 18,93
130€ 20,51
140€ 22,09
150€ 23,67

€ 1,58

€ 0,158 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STN1NK80Z, VDSS 800 V, ID 250 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 1,58
20€ 3,16
30€ 4,73
40€ 6,31
50€ 7,89
60€ 9,47
70€ 11,05
80€ 12,62
90€ 14,20
100€ 15,78
110€ 17,36
120€ 18,93
130€ 20,51
140€ 22,09
150€ 23,67

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

250 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,7 nC a 10 V

Profundidad

3.5mm

Altura

1.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more