Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
250 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 10 V
Profundidad
3.5mm
Altura
1.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 1,58
€ 0,158 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 1,58
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Empaque de Producción (Rollo)
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
250 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 10 V
Profundidad
3.5mm
Altura
1.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto