MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60, VDSS 600 V, ID 400 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 687-5131Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STN1HNK60
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

400 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.25V

Disipación de Potencia Máxima

3.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Anchura

3.5mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.8mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 10,23

$ 1,023 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
10 - 20$ 1,023$ 10,23
30 - 90$ 0,969$ 9,70
100 - 490$ 0,73$ 7,30
500 - 990$ 0,619$ 6,19
1000+$ 0,496$ 4,96

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N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

400 mA

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Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.25V

Disipación de Potencia Máxima

3.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Anchura

3.5mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 10 V

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1

Longitud:

6.5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

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