Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.25V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
3.5mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 7,92
€ 0,792 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 7,92
€ 0,792 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 10 | € 0,792 | € 7,92 |
20+ | € 0,752 | € 7,52 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.25V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
3.5mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto