Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.25V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Anchura
3.5mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.8mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 10,23
$ 1,023 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
$ 10,23
$ 1,023 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 20 | $ 1,023 | $ 10,23 |
30 - 90 | $ 0,969 | $ 9,70 |
100 - 490 | $ 0,73 | $ 7,30 |
500 - 990 | $ 0,619 | $ 6,19 |
1000+ | $ 0,496 | $ 4,96 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.25V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Anchura
3.5mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.8mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto