MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60, VDSS 600 V, ID 400 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.25V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Ancho
3.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 8,76
€ 0,876 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,876 | € 8,76 |
| 30 - 90 | € 0,831 | € 8,31 |
| 100 - 490 | € 0,625 | € 6,25 |
| 500 - 990 | € 0,53 | € 5,30 |
| 1000+ | € 0,425 | € 4,25 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.25V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Ancho
3.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.8mm
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