MOSFET STMicroelectronics STL4N80K5, VDSS 800 V, ID 2,5 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 792-5903Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STL4N80K5
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Series

MDmesh K5, SuperMESH5

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5 x 6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

38000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Ancho

5.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10,5 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.95mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 10,66

€ 2,132 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Cinta
5 - 20€ 2,132€ 10,66
25 - 45€ 2,026€ 10,13
50 - 120€ 1,825€ 9,12
125 - 245€ 1,638€ 8,19
250+€ 1,559€ 7,80

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Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Series

MDmesh K5, SuperMESH5

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5 x 6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

38000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Ancho

5.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

6.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10,5 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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