MOSFET STMicroelectronics STL4N80K5, VDSS 800 V, ID 2,5 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
5.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 10,58
€ 2,116 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
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5
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,116 | € 10,58 |
| 25 - 45 | € 2,011 | € 10,06 |
| 50 - 120 | € 1,811 | € 9,06 |
| 125 - 245 | € 1,626 | € 8,13 |
| 250+ | € 1,547 | € 7,74 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
5.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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