Transistor MOSFET STMicroelectronics STL45N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 192-4899PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STL45N60DM6
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 8 x 8 HV

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

110 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

160000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

8.1mm

Longitud

8.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

44 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.5V

Altura

0.9mm

País de Origen

China

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€ 56,14

€ 5,614 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

Transistor MOSFET STMicroelectronics STL45N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines, , config. Simple
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Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 2
10€ 56,14
12€ 67,37
14€ 78,60
16€ 89,83
18€ 101,06
20€ 101,02
22€ 111,12
24€ 121,23
26€ 131,33
28€ 141,43
30€ 151,53
32€ 161,63
34€ 171,74
36€ 181,84
38€ 191,94

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
10 - 18€ 5,614€ 11,23
20 - 48€ 5,051€ 10,10
50 - 98€ 4,541€ 9,08
100+€ 4,318€ 8,64

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N

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Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

110 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

160000 mW

Configuración de transistor

Single

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±25 V

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1

Profundidad

8.1mm

Longitud

8.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

44 nC a 10 V

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