Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
42 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Altura
9.3mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 5,38
€ 2,688 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
€ 5,38
€ 2,688 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 8 | € 2,688 | € 5,38 |
10 - 98 | € 2,273 | € 4,55 |
100 - 498 | € 1,817 | € 3,64 |
500 - 998 | € 1,619 | € 3,24 |
1000+ | € 1,367 | € 2,74 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
42 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Altura
9.3mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto