MOSFET STMicroelectronics STF14NM50N, VDSS 500 V, ID 12 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
320 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.6mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
16.4mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 95,62
€ 1,912 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,912 | € 95,62 |
| 100 - 200 | € 1,549 | € 77,44 |
| 250+ | € 1,394 | € 69,69 |
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N
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12 A
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Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
320 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.6mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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