MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4, VDSS 900 V, ID 3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Anchura
6.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22,7 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 0,635 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Anchura
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Material del transistor
Si
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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