MOSFET STMicroelectronics STD18N65M5, VDSS 710 V, ID 15 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 783-3030PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STD18N65M5
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

15 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

710 V

Series

MDmesh M5

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

220 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

6.2mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

31 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

2.4mm

País de Origen

China

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics

El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 14,30

$ 2,859 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STD18N65M5, VDSS 710 V, ID 15 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
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Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 14,30
10$ 28,59
15$ 42,89
20$ 57,18
25$ 71,48
30$ 85,77
35$ 100,07
40$ 114,36
45$ 128,66
50$ 142,95
55$ 157,25
60$ 171,55
65$ 185,84
70$ 200,14
75$ 214,43

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

220 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Configuración de transistor

Single

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-25 V, +25 V

Anchura

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Material del transistor

Si

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

31 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

2.4mm

País de Origen

China

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MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics

El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

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