MOSFET STMicroelectronics STD17NF25, VDSS 250 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
STripFET II
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
165 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.2mm
Altura
2.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1.717,38
€ 0,687 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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Mejora
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4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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