Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,1 nC a 10 V
Profundidad
6.2mm
Altura
2.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 11,08
€ 1,108 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 11,08
€ 1,108 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
10 - 95 | € 1,108 | € 5,54 |
100 - 495 | € 0,836 | € 4,18 |
500 - 995 | € 0,704 | € 3,52 |
1000+ | € 0,568 | € 2,84 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,1 nC a 10 V
Profundidad
6.2mm
Altura
2.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto