Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
350 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
9.35mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
4.37mm
€ 25,83
€ 5,166 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
€ 25,83
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Empaque de Producción (Rollo)
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
350 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
9.35mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
4.37mm