Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
125 V
Tipo de Encapsulado
M174
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
389 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
24.89mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
26.67mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+200 °C
Altura
4.11mm
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 78,40
€ 78,40 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 78,40
€ 78,40 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 4 | € 78,40 |
5 - 9 | € 76,84 |
10 - 14 | € 74,48 |
15 - 19 | € 73,69 |
20+ | € 72,91 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
125 V
Tipo de Encapsulado
M174
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
389 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
24.89mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
26.67mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+200 °C
Altura
4.11mm
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.