MOSFET STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 de 4 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
119 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
SCTWA90N65G2V-4
Tipo de Encapsulado
HiP247-4
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.024 O
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
€ 784,38
€ 26,146 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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N
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119 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
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SCTWA90N65G2V-4
Tipo de Encapsulado
HiP247-4
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.024 O
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
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1
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SiC