MOSFET STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247-4 de 4 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
91 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
HiP247-4
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,03 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.9V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon
€ 34,53
€ 34,53 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
1
€ 34,53
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Empaque de Producción (Tubo)
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
91 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
HiP247-4
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,03 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.9V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon