Transistor Darlington, BD679, NPN 4 A, 80 V, HFE:750, SOT-32, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Largo
7.8mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
10.8mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Anchura
2.7mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 17,39
$ 0,348 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 0,348 | $ 17,39 |
| 100 - 200 | $ 0,33 | $ 16,50 |
| 250 - 450 | $ 0,314 | $ 15,68 |
| 500+ | $ 0,296 | $ 14,79 |
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80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Largo
7.8mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
10.8mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Anchura
2.7mm
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