Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
25
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
3 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
$ 4,49
$ 0,898 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
$ 4,49
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 5 | $ 0,898 | $ 4,49 |
10 - 95 | $ 0,77 | $ 3,85 |
100 - 245 | $ 0,575 | $ 2,88 |
250 - 495 | $ 0,556 | $ 2,78 |
500+ | $ 0,509 | $ 2,55 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
25
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
3 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.