Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemtechTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
8.5V
Tensión Mínima de Ruptura
2.8V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-143
Tensión de Corte Inversa Máxima
2.8V
Conteo de Pines
4
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
200W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
14A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Altura
1.1mm
Corriente de Prueba
50mA
Longitud
3.04mm
Ancho
1.4mm
Datos del producto
RailClamp®, Low Capacitance TVS Diode Array, SR Series
Potencia de pulso de pico de 500 W (tp = 8/20 μs)
Protección contra ESD:
IEC 61000-4-2 (ESD) ±15 kV (aire), ±8 kV (contacto)
IEC 61000-4-4 (EFT) 40 A (5/50 ns)
IEC 61000-4-5 (descargas eléctricas) 24 A (8/20 μs)
Matrices de diodos de protección contra sobrecargas con diodos TVS internos
Protección para dos líneas de E/S
Baja capacitancia (<10 pF) para interfaces de alta velocidad
Transient Voltage Suppressors, Semtech
€ 2,85
€ 1,426 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
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Uni-Directional
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Single
Tensión Residual Máxima
8.5V
Tensión Mínima de Ruptura
2.8V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-143
Tensión de Corte Inversa Máxima
2.8V
Conteo de Pines
4
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
200W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
14A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Altura
1.1mm
Corriente de Prueba
50mA
Longitud
3.04mm
Ancho
1.4mm
Datos del producto
RailClamp®, Low Capacitance TVS Diode Array, SR Series
Potencia de pulso de pico de 500 W (tp = 8/20 μs)
Protección contra ESD:
IEC 61000-4-2 (ESD) ±15 kV (aire), ±8 kV (contacto)
IEC 61000-4-4 (EFT) 40 A (5/50 ns)
IEC 61000-4-5 (descargas eléctricas) 24 A (8/20 μs)
Matrices de diodos de protección contra sobrecargas con diodos TVS internos
Protección para dos líneas de E/S
Baja capacitancia (<10 pF) para interfaces de alta velocidad