MOSFET ROHM RZM002P02T2L, VDSS 20 V, ID 200 mA, SOT-723 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
RZM002P02
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
0.9mm
Longitud
1.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,4 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.45mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 7,54
€ 0,101 Each (In a Pack of 75) (Sin IVA)
75
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Tensión de umbral de puerta mínima
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Profundidad
0.9mm
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,4 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
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Temperatura Mínima de Operación
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