MOSFET ROHM RVQ040N05TR, VDSS 45 V, ID 4 A, TSMT de 6 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
45 V
Tipo de Encapsulado
TSMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-21 V, +21 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.8mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3mm
Altura
0.95mm
País de Origen
Thailand
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Price on asking
Each (In a Pack of 15) (Sin IVA)
15
Price on asking
Each (In a Pack of 15) (Sin IVA)
15
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
45 V
Tipo de Encapsulado
TSMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-21 V, +21 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.8mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3mm
Altura
0.95mm
País de Origen
Thailand
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products