MOSFET ROHM RUM002N02T2L, VDSS 20 V, ID 200 mA, SOT-723 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
RUM002N02
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
0.9mm
Longitud
1.3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.45mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 7,01
€ 0,07 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
100
€ 7,01
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100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,07 | € 7,01 |
| 500 - 900 | € 0,046 | € 4,56 |
| 1000 - 2400 | € 0,04 | € 3,97 |
| 2500 - 4900 | € 0,039 | € 3,86 |
| 5000+ | € 0,037 | € 3,74 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
0.9mm
Longitud
1.3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.45mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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