MOSFET ROHM RUM001L02T2CL, VDSS 20 V, ID 100 mA, SOT-723 de 3 pines

Código de producto RS: 124-6838Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: RUM001L02T2CL
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Series

RUM001L02

Tipo de Encapsulado

SOT-723

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

Ω18

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

150 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

0.9mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

1.3mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

0.45mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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€ 9,63

€ 0,064 Each (In a Pack of 150) (Sin IVA)

MOSFET ROHM RUM001L02T2CL, VDSS 20 V, ID 100 mA, SOT-723 de 3 pines
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Disponible en múltiplos de 150.

Producción -

Disponible en múltiplos de 150.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

150

Disponible en múltiplos de 150
150€ 9,63
300€ 19,25
450€ 28,88
600€ 38,51
750€ 45,46
900€ 54,55
1050€ 63,64
1200€ 72,74
1350€ 81,83
1500€ 82,01
1650€ 90,21
1800€ 98,41
1950€ 106,61
2100€ 114,81
2250€ 123,01

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1500€ 82,01
1650€ 90,21
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
150 - 600€ 0,064€ 9,63
750 - 1350€ 0,061€ 9,09
1500 - 3600€ 0,055€ 8,20
3750 - 7350€ 0,051€ 7,67
7500+€ 0,049€ 7,31

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N

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100 mA

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Series

RUM001L02

Tipo de Encapsulado

SOT-723

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

Ω18

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

150 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

0.9mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

1.3mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

0.45mm

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