MOSFET ROHM RU1J002YNTCL, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-323 de 3 pines

Código de producto RS: 124-6836Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: RU1J002YNTCL
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

50 V

Series

RU1J002YN

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

150 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

1.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

2.1mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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€ 5,38

€ 0,054 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)

MOSFET ROHM RU1J002YNTCL, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-323 de 3 pines
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Disponible en múltiplos de 100.

Producción -

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Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

100

Disponible en múltiplos de 100
100€ 5,38
200€ 10,75
300€ 16,13
400€ 21,51
500€ 23,96
600€ 28,75
700€ 33,54
800€ 38,34
900€ 43,13
1000€ 45,58
1100€ 50,14
1200€ 54,70
1300€ 59,26
1400€ 63,82
1500€ 68,37

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
100 - 400€ 0,054€ 5,38
500 - 900€ 0,048€ 4,79
1000 - 2400€ 0,046€ 4,56
2500 - 4900€ 0,04€ 3,97
5000+€ 0,039€ 3,86

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

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150 mW

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