MOSFET ROHM RU1J002YNTCL, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-323 de 3 pines

Código de producto RS: 124-6836Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: RU1J002YNTCL
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

50 V

Series

RU1J002YN

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

150 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Anchura

1.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

2.1mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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$ 6,30

$ 0,063 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
100 - 400$ 0,063$ 6,30
500 - 900$ 0,056$ 5,61
1000 - 2400$ 0,053$ 5,34
2500 - 4900$ 0,047$ 4,66
5000+$ 0,045$ 4,52

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N

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Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

150 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Anchura

1.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

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