Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Series
RU1J002YN
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Anchura
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
$ 6,30
$ 0,063 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
$ 6,30
$ 0,063 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
100 - 400 | $ 0,063 | $ 6,30 |
500 - 900 | $ 0,056 | $ 5,61 |
1000 - 2400 | $ 0,053 | $ 5,34 |
2500 - 4900 | $ 0,047 | $ 4,66 |
5000+ | $ 0,045 | $ 4,52 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Series
RU1J002YN
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Anchura
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto