Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Series
RU1J002YN
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 5,38
€ 0,054 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
€ 5,38
€ 0,054 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,054 | € 5,38 |
500 - 900 | € 0,048 | € 4,79 |
1000 - 2400 | € 0,046 | € 4,56 |
2500 - 4900 | € 0,04 | € 3,97 |
5000+ | € 0,039 | € 3,86 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Series
RU1J002YN
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto