MOSFET ROHM RSJ250P10TL, VDSS 100 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
RSJ250P10
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.5mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 39,02
€ 1,561 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Empaque de Producción (Rollo)
25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 1,561 | € 7,80 |
| 50 - 120 | € 1,484 | € 7,42 |
| 125 - 245 | € 1,406 | € 7,03 |
| 250+ | € 1,248 | € 6,24 |
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25 A
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Series
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Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.5mm
Tensión de diodo directa
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