MOSFET ROHM RSJ250P10TL, VDSS 100 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código de producto RS: 124-6823Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: RSJ250P10TL
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

RSJ250P10

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

70 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

9mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

4.5mm

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

Korea, Republic Of

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal P, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Información de stock no disponible temporalmente.

€ 9,48

€ 1,896 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET ROHM RSJ250P10TL, VDSS 100 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
Seleccionar tipo de embalaje

€ 9,48

€ 1,896 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET ROHM RSJ250P10TL, VDSS 100 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 20€ 1,896€ 9,48
25 - 45€ 1,531€ 7,66
50 - 120€ 1,456€ 7,28
125 - 245€ 1,379€ 6,90
250+€ 1,225€ 6,12

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

RSJ250P10

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

70 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

9mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

4.5mm

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

Korea, Republic Of

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal P, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more