Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
RSJ250P10
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.5mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 9,48
€ 1,896 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 9,48
€ 1,896 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,896 | € 9,48 |
25 - 45 | € 1,531 | € 7,66 |
50 - 120 | € 1,456 | € 7,28 |
125 - 245 | € 1,379 | € 6,90 |
250+ | € 1,225 | € 6,12 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
RSJ250P10
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.5mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto