MOSFET ROHM RQ6E050ATTCR, VDSS 30 V, ID 5 A, TSMT-6 de 6 pines, config. Base doble

Código de producto RS: 124-6805Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: RQ6E050ATTCR
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

RQ6E050AT

Tipo de Encapsulado

TSMT-6

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

38 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.25 W

Configuración de transistor

Dual Base

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-18 V, +18 V

Profundidad

1.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20,8 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

0.95mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

Thailand

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal P, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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$ 6,91

$ 0,277 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

MOSFET ROHM RQ6E050ATTCR, VDSS 30 V, ID 5 A, TSMT-6 de 6 pines, config. Base doble

25

Disponible en múltiplos de 25
25$ 6,91
50$ 13,83
75$ 20,74
100$ 27,66
125$ 34,57
150$ 41,49
175$ 48,40
200$ 55,31
225$ 62,23
250$ 69,14
275$ 76,06
300$ 82,97
325$ 89,89
350$ 96,80
375$ 103,71

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6

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.25 W

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20,8 nC a 10 V

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