MOSFET ROHM RQ5E035BNTCL, VDSS 30 V, ID 3,5 A, TSMT-3 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
RQ5E035BN
Tipo de Encapsulado
TSMT-3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
56 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.8mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.95mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 60,02
€ 0,24 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
250
€ 60,02
€ 0,24 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
250
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 250 - 450 | € 0,24 | € 12,00 |
| 500 - 2450 | € 0,233 | € 11,65 |
| 2500 - 4950 | € 0,225 | € 11,23 |
| 5000+ | € 0,219 | € 10,93 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
RQ5E035BN
Tipo de Encapsulado
TSMT-3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
56 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.8mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.95mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products