MOSFET ROHM RAF040P01TCL, VDSS 12 V, ID 4 A, SOT-323 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Series
RAF040P01
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
68 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
800 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.8mm
Longitud
2.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.82mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 26,03
€ 0,26 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 26,03
€ 0,26 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,26 | € 5,21 |
| 200 - 480 | € 0,223 | € 4,47 |
| 500 - 980 | € 0,208 | € 4,16 |
| 1000+ | € 0,204 | € 4,09 |
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Series
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Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
68 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
800 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.8mm
Longitud
2.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
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Altura
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