Módulo de potencia SiC ROHM BSM300D12P2E001, VDSS 1.200 V, ID 300 A, C de 4 pines, 2elementos

Código de producto RS: 144-2255Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: BSM300D12P2E001
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

300 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Series

BSM

Tipo de Encapsulado

c

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.6V

Disipación de Potencia Máxima

1875 W

Número de Elementos por Chip

2

Ancho

57.95mm

Longitud

152mm

Material del transistor

SiC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

–40 °C

Altura

17mm

País de Origen

Japan

Datos del producto

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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€ 3.700,42

€ 925,106 Each (In a Tray of 4) (Sin IVA)

Módulo de potencia SiC ROHM BSM300D12P2E001, VDSS 1.200 V, ID 300 A, C de 4 pines, 2elementos

4

Disponible en múltiplos de 4
4€ 3.700,42
8€ 7.400,85
12€ 11.101,27
16€ 14.801,70
20€ 18.502,12
24€ 22.202,54
28€ 25.902,97
32€ 29.603,39
36€ 33.303,82
40€ 37.004,24
44€ 40.704,66
48€ 44.405,09
52€ 48.105,51
56€ 51.805,94
60€ 55.506,36

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BSM

Tipo de Encapsulado

c

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.6V

Disipación de Potencia Máxima

1875 W

Número de Elementos por Chip

2

Ancho

57.95mm

Longitud

152mm

Material del transistor

SiC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

–40 °C

Altura

17mm

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Japan

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