Módulo de potencia SiC ROHM BSM180D12P3C007, VDSS 1.200 V, ID 180 A, C de 4 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
BSM
Tipo de Encapsulado
c
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
880 W
Número de Elementos por Chip
2
Ancho
45.6mm
Longitud
122mm
Material del transistor
SiC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Altura
17mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 619,40
€ 619,40 Each (Sin IVA)
1
€ 619,40
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 1 | € 619,40 |
| 2 - 4 | € 603,10 |
| 5 - 9 | € 587,64 |
| 10+ | € 572,95 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Series
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Tipo de Encapsulado
c
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
880 W
Número de Elementos por Chip
2
Ancho
45.6mm
Longitud
122mm
Material del transistor
SiC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Altura
17mm
País de Origen
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