Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics DL, λ sensibilidad máx. 670nm, mont. pasante, encapsulado TO-8 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
OSI OptoelectronicsLongitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
670nm
Encapsulado
TO-8
Tipo de montaje
Through Hole
Función de amplificador
No
Número de Pines
3
Material del Diodo
Si
Tiempo de Bajada Típico
0.08µs
Altura
5.59mm
Diámetro
15.24mm
Fotosensibilidad de Pico
0.4A/W
Series
DL
Tiempo de Subida Típico
0.08µs
Polarity
Reverse
País de Origen
United States
Datos del producto
Sensores de detección de posición (PSD) OSI
Esta familia de sensores de detección de posición (PSD), de OSI Optoelectronics, utiliza tecnología lateral doble. Proporcionan una salida analógica continua que ofrece alta fiabilidad de posición sobre la mayor parte del área de detección. Se pueden medir una o dos posiciones dimensionales con esta gama de PSD.
Las aplicaciones adecuadas para estos sensores de detección de posición (PSD) incluyen: alineación de haz, detección de posición, medida de ángulo, medidas de altura y análisis de movimiento.
Características:
Súper lineal
Alta precisión
Amplia escala dinámica
Alta fiabilidad
Estructura lateral doble
Photodiodes, OSI Optoelectronics
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Tiempo de Bajada Típico
0.08µs
Altura
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Diámetro
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DL
Tiempo de Subida Típico
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Polarity
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Sensores de detección de posición (PSD) OSI
Esta familia de sensores de detección de posición (PSD), de OSI Optoelectronics, utiliza tecnología lateral doble. Proporcionan una salida analógica continua que ofrece alta fiabilidad de posición sobre la mayor parte del área de detección. Se pueden medir una o dos posiciones dimensionales con esta gama de PSD.
Las aplicaciones adecuadas para estos sensores de detección de posición (PSD) incluyen: alineación de haz, detección de posición, medida de ángulo, medidas de altura y análisis de movimiento.
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