Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics PIN, IR, λ sensibilidad máx. 970nm, mont. pasante, encapsulado TO-8 de 2 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
OSI OptoelectronicsEspectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
970nm
Encapsulado
TO-8
Tipo de montaje
Through Hole
Función de amplificador
No
Número de Pines
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Altura
0.205plg
Diámetro
13.97mm
Fotosensibilidad de Pico
0.6A/W
Series
PIN
Polarity
Reverse
Tiempo de Subida Típico
475ns
País de Origen
Malaysia
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